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CS-1 晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測儀產(chǎn)品介紹

發(fā)布時(shí)間:2024-05-21 點(diǎn)擊量:936

CS-1 晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測儀產(chǎn)品介紹

"Crystalline Tester CS1"是非破壞性、非接觸式檢測可見光(波長400~800nm)透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應(yīng)力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測設(shè)備。通過本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地把握目檢下無法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。

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產(chǎn)品特征

產(chǎn)品特長

  1. 高速測量(6" 襯底 90秒)
    ?可以最快速度簡捷方式觀察殘留應(yīng)力分布。

  2. 縱向結(jié)晶評價(jià)
    ?因?yàn)槭峭敢曅徒Y(jié)晶評價(jià)裝置,所以不只可以觀察襯底表面,還可以觀察包括Z軸方向的晶圓所有部位。

  3. 可取得與X-Ray Topography imaging comparison同等測試效果
    ?可以取得同等測試效果,實(shí)現(xiàn)高速低成本。

  4. 價(jià)格競爭力
    ?在晶片測量裝置中,屬于性價(jià)比好的一款系統(tǒng)。

可測量材料

  1. SiC單晶襯底、及SiC外延襯底

  2. GaN單晶襯底、及GaN外延襯底

  3. AlN單晶襯底、及AlN外延襯底

  4. 可視光可透視、有雙折射效果的結(jié)晶均可。

測試效果不佳材料

?無可視光透視性材料:Si、GaAs等
?無雙折射效果材料:藍(lán)寶石、Ga2O3 等

CS1畫像と目視畫像との比較


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