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agc濺射靶材的特點及運用示例分析

發(fā)布時間:2023-12-11 點擊量:1115

agc濺射靶材的特點及運用示例分析

1. 光學薄膜用靶材

目的

  1. 汽車和住宅用表面處理玻璃的低輻射涂層

  2. 顯示膜和玻璃減反射涂層

  3. 觸摸屏等光學調(diào)整膜(折射率匹配膜)

  4. 信息電子玻璃用光學多層膜(CD、DVD等的鏡子)

材料產(chǎn)品名稱目標形狀目標薄膜(氧化膜用)
平板圓柱直流濺射特征耐堿性耐酸性耐刮擦其他的
硅基SC
高速成膜(>結晶Si)、
高強度、高導熱率
n=1.46
無定形 
熱噴涂硅穩(wěn)定放電n=1.46
無定形 
鈮基N.B.O.
熱噴涂
高密度、
高速成膜(>Nb)
n=
2.3 無定形
鈦基TXO
熱噴涂
高速成膜(>Ti)n=2.45
無定形

此處列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)僅供參考,并非保證值。關于下單時的質(zhì)量保證,我們將另行協(xié)商決定。請注意,列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)如有更改,恕不另行通知。

特征

SC

  • 由于其高強度、高導熱性、均勻的結構靶材,實現(xiàn)了長期穩(wěn)定放電。

  • 與使用結晶Si成膜的情況相比,成膜速度提高了20%。

  • 通過氧化反應濺射獲得非晶SiO 2膜。

  • 通過氧化反應濺射獲得的薄膜是無色且高度透明的。

N.B.O.

  • 成膜速度比金屬鈮成膜時快3倍以上。

  • 通過氧化反應濺射獲得非晶Nb 2 O 5膜。

  • 通過氧化反應濺射獲得的薄膜是無色且高度透明的。

TXO

  • 成膜速度比金屬Ti快7倍以上。

  • 通過氧化反應濺射獲得非晶TiO 2膜。

  • 通過氧化反應濺射獲得的薄膜是無色且高度透明的。

2. 高耐久性保護膜用靶材/中折射率薄膜用靶材

目的

  1. 汽車、住宅用表面處理玻璃(有色玻璃、熱反射玻璃等)保護膜

  2. 顯示薄膜(觸摸屏等)的防反射涂層

  3. 適用于條碼閱讀器和復印機頂部玻璃的防刮保護膜

  4. 適用于所有需要耐堿、耐刮傷的薄膜的保護膜。

材料產(chǎn)品名稱目標形狀目標薄膜(氧化膜用)
平板圓柱直流濺射特征耐堿性耐酸性耐刮擦其他的
硅基SX
高密度
、低飛弧特性
n=
1.7 無定形
英石
開發(fā)中
高密度、
高速成膜(>SX)
n=1.7~
2.0非晶態(tài)

此處列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)僅供參考,并非保證值。關于下單時的質(zhì)量保證,我們將另行協(xié)商決定。請注意,列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)如有更改,恕不另行通知。

特征

SX

  • 通過氧化反應濺射獲得非晶膜,該非晶膜平坦且具有低摩擦特性。

  • 通過氧化反應濺射獲得的薄膜是無色且高度透明的。

  • 通過氧化反應濺射獲得的薄膜具有優(yōu)異的耐刮擦性和耐化學性。

英石

  • 成膜速度比SX更快。

  • 通過氧化反應濺射獲得非晶膜,該非晶膜平坦且具有低摩擦特性。

  • 通過氧化反應濺射獲得的薄膜是無色且高度透明的。

  • 通過氧化反應濺射獲得的薄膜具有優(yōu)異的耐刮擦性和耐化學性。

  • 通過氧化反應濺射獲得的薄膜具有液滴特性。

  • 所得薄膜的折射率可在 1.7 至 2.0 之間變化,具體取決于目標組合物。

3. Low-E介電薄膜靶材/中折射率薄膜靶材

目的

  1. 建材用Low-E(低輻射)薄膜用介電薄膜

  2. 防反射膜等光學膜用中折射率膜

材質(zhì)系統(tǒng)產(chǎn)品名稱目標形狀目標膜質(zhì)量
平板圓柱DC成膜特征
鋅基深圳合金靶材
Ar膜沉積
n=2.0
無定形
AZ
開發(fā)中
合金靶材
Ar膜沉積
n=2.0
無定形

此處列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)僅供參考,并非保證值。關于下單時的質(zhì)量保證,我們將另行協(xié)商決定。請注意,列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)如有更改,恕不另行通知。

特征

  1. 使用我們的制造方法,圓柱形 SZ 靶材與背襯管實現(xiàn)了高粘合強度。因此,與傳統(tǒng)的熱噴涂靶相比,可以使用高功率濺射進行高速成膜。

  2. 可制造總長3m以上的長圓柱形靶材。

4、透明導電膜用靶材

目的

  1. 環(huán)境及能源玻璃(太陽能電池等)用透明電極

  2. 顯示玻璃用透明電極

  3. 汽車和住宅玻璃用透明導電膜(熱反射玻璃、電動汽車表面加熱元件等)

  4. 纖維、薄膜等抗靜電涂膜

材質(zhì)系統(tǒng)產(chǎn)品名稱目標形狀目標膜質(zhì)量
平板圓柱DC成膜特征電導率耐化學性其他特性
鋅基廣州市
高密度燒結體
Ar成膜
×n=1.9
低溫結晶膜
偶氮
開發(fā)中
高密度燒結體
Ar成膜
×n=1.9
低溫結晶膜

此處列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)僅供參考,并非保證值。關于下單時的質(zhì)量保證,我們將另行協(xié)商決定。請注意,列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)如有更改,恕不另行通知。

特征

  1. 相對密度90%以上的高密度ZnO靶材。

  2. 與ITO相比,不易產(chǎn)生結節(jié),可實現(xiàn)穩(wěn)定的放電。

  3. 可在純氬氣氣氛下成膜。

  4. 即使在室溫下也可以形成結晶膜。




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