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日本napson便攜式導(dǎo)電薄膜無(wú)損(渦流法)電阻測(cè)量?jī)xEC-80P

發(fā)布時(shí)間:2021-02-01 點(diǎn)擊量:1748

日本napson便攜式導(dǎo)電薄膜無(wú)損(渦流法)電阻測(cè)量?jī)xEC-80P

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 只需觸摸手持式探頭即可進(jìn)行電阻測(cè)量。
  • 在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
  • 連接到連接器的電阻測(cè)量探針是可更換的,因此它支持廣泛的電阻。
  • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)
  • 測(cè)量規(guī)格

    測(cè)量目標(biāo)

    相關(guān)(硅,多晶硅,碳化硅等)半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料
    的新材料/相關(guān)功能性材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
    導(dǎo)電薄膜相關(guān)的(金屬,ITO等)
    硅基外延離子注入的樣品
    化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
    其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)

    測(cè)量尺寸

    無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

     

    測(cè)量范圍

    [電阻率] 1 m至200Ω·cm
    (*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um)
    [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
    (*所有探頭類型的總范圍)

     

    *有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
    (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
    0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
    (3 )高:10至1000Ω/□( 0.5至60Ω-??cm)
    (4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
    (5)太陽(yáng)能晶片:5至500Ω/□(0. 2至15Ω-cm)

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